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NXP Semiconductors
Low capacitance double ESD protection
diode
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Product data sheet
PESDxL2UM series
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
I pp
peak pulse current
8/20 μ s pulse; notes 1, 2 and 3
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
?
?
3
2.5
A
A
P pp
I FSM
peak pulse power
non-repetitive peak forward current
8/20 μ s pulse; notes 1, 2 and 3
t p = 1 ms; square pulse
?
?
30
3.5
W
A
I ZSM
non-repetitive peak reverse current
t p = 1 ms; square pulse
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
?
?
0.9
0.8
A
A
P tot
P ZSM
total power dissipation
non-repetitive peak reverse power
T amb = 25 ° C; note 4
t p = 1 ms; square pulse; see Fig.4
?
?
250
6
mW
W
dissipation
T stg
T j
storage temperature
junction temperature
? 65
?
+150
150
° C
° C
ESD
electrostatic discharge
IEC 61000-4-2 (contact discharge)
HBM MIL-Std 883
15
10
?
?
kV
kV
Notes
1. Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform; see Fig.5.
2. Pins 1 and 3 or 2 and 3.
3. Pins 1 and 2.
4. Device mounted on standard printed-circuit board.
ESD standards compliance
IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)
HBM MIL-Std 883, class 3
THERMAL CHARACTERISTICS
>15 kV (air); >8 kV (contact)
>4 kV
SYMBOL
R th j-a
PARAMETER
thermal resistance from junction to ambient
CONDITIONS
all diodes loaded; note 1
one diode loaded; note 2
VALUE
500
290
UNIT
K/W
K/W
Notes
1. Refer to SOT883 standard mounting conditions (footprint), FR4 with 60 μ m copper strip line.
2. FR4 single-sided copper 1 cm 2 .
2005 May 23
3
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